— iPhone也要上2TB版本了！但寿命和性能可能更低 —

据国外媒体报道称，苹果可能会在2026年的iPhone上启用预计2TB的更大存储，据爆料，苹果正在加速推进QLC NAND换代，从而将内置存储上限提高到2TB。

此前有消息称，苹果可能会改变存储容量（iPhone 16上启用），不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。

至于为何使用QLC，可能还是跟苹果控制成本有关。与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，这意味着在同样的物理空间内，QLC闪存可以存储更多的数据，从而提高了存储设备的容量，使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。

但也有缺陷所在，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时，由于电荷量增加，裕量减少，这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。OLC闪存是一个更加经济的选择，但对于追求性能和耐用度的用户来说，TLC可能更合适。

如果苹果继续执行这一计划，一些版本的iPhone 16 用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。

编辑点评：QLC的耐用性虽然不比TLC的好，但就手机的使用寿命来说其实并不明显。但苹果未来可能启用的QLC的数据写入性能，与TLC相比会较差。这一特点可能是会在手机使用当中感受更加明显的一点，iPhone用户能否习惯这一点才是需要考虑的。