— "台积电霸主地位动摇？Intel研发出比2nm还先进的新工艺" —

目前全球已经量产的芯片工艺中，最先进的可能就是三星和台积电的3nm工艺了，不过看起来台积电应该是更强一些，不但N3工艺比三星的3nm所能容纳的晶体管更多，同时改良型的N3E也应该在今年量产。但台积电在工艺制程上的优势似乎领先不了太久了，Intel已经正式宣布完成了自家18A和20A两种工艺的开发，这意味着在芯片制造技术上，Intel已经彻底追赶了上来。

Intel目前可量产的芯片工艺为Intel 7，这是Intel自家10nm的工艺，但效能可和台积电7nm相比。而Intel今年有可能会上Intel 4工艺，也就是Intel自己的7nm工艺，但效能可和台积电以及三星的4nm相比。目前台积电最好的是3nm工艺，但如果Intel今年可以量产Intel 4工艺的话，那么两者之间的技术差异就非常小了。

但Intel真正厉害的还是之前早早发布的Intel 20A和Intel 18A两种工艺。顾名思义，这两种工艺分别对应目前的2nm和1.8nm工艺，虽然不知道Intel实际的工艺是多少，但这两种芯片工艺无疑是Intel超越台积电和三星的杀手锏。这两种工艺不但会出现在Intel自家的产品上，比如说处理器，同时还会用于Intel未来为其他厂商代工芯片。

当然要注意的是，之所以Intel说是完成开发，其实也意味着这和量产之间还有不少的距离。所谓的完成开发，主要是指Intel已经确认了这两种芯片技术的所有规格、材料、要求和性能目标。这和量产，乃至用于商业制造还有很大的差异，而且未来在试产和实验过程中，肯定还会出现不少问题和难关。

Intel的20A制造技术将依赖环栅 RibbonFET 晶体管，并将使用背部供电。从技术上而言，20A将缩小金属间距、引入全新的晶体管结构，当然加上背部供电之后，整体的技术难度还是很高。但Intel信心满满，认为在2024年上半年就会使用该节点，当然这只是Intel自己的乐观估计，不过要是真成了，那么Intel就会在芯片制造上正式超越台积电和三星。

至于更先进的18A技术，将进一步完善Intel的RibbonFET 和PowerVia技术，并缩小晶体管尺寸。该节点的开发进展相当顺利，以至于Intel将其推出时间从2025年提前到2024年下半年。Intel认为这将是行业最先进的芯片制造技术，如果真能在明年下半年看到这个技术，我们得承认这比我们想象的要快得多。要知道大多数厂商都将2nm这个节点安排在2025年之后，如果Intel的18A工艺能在明年就开始量产，那会把其他芯片代工企业远远甩在身后。

不过Intel的说法我们觉得还是要谨慎看待一下，以前Intel的10nm，也就是Intel 7工艺量产一直延期，7nm也就是Intel 4的开发也不算顺利，所以现在的说法都是Intel自己的预计，可能实际的进展未来会出现一些波折。而且现在来看，Intel早早就宣布20A和18A完成开发，多少是有为自己芯片代工业务做宣传的意图，事实上能不能达到Intel的预期量产时间，我们认为可能性都不是那么大。

但无论如何，在台积电和三星之后，Intel基本夯实了自己业界前三芯片制造的地位，而且Intel在技术部分看起来的确有超越台积电和三星的趋势。至于Intel什么时候能在自己的产品中用上这些新工艺，我们还要看Intel在产品部分的路线图和工艺设计，才会得到一些不算精准的答案。但无论如何，Intel这次宣布新工艺完成开发，多少会刺激到台积电和三星，特别是台积电……我们也希望台积电能尽早完成2nm的开发，届时和Intel的竞争应该很有意思。