— 三星 990 EVO Plus评测：速度全面升级！“真香”级硬盘来袭 —

今年年初，我们对三星的990 EVO进行了深入评测。作为EVO系列的最新产品，990 EVO延续了该系列一贯的高性价比，不仅兼容PCIe 4.0*4和PCIe 5.0*2双标准，还在读写性能和散热管理方面表现出色，广受市场好评，成为众多笔记本扩容和台式机装机用户的首选。

[三星 990 EVO评测，]

如今，三星再次发力，推出了升级版——990 EVO Plus。相较于前代产品，这款硬盘在性能、能耗和容量上都有明显提升。凭借出色的综合表现，990 EVO Plus已成为当前市场上极具竞争力的固态硬盘之一。接下来，我们将详细探讨这款产品的具体表现。

三星 990 EVO Plus开箱丨外观

首先，从外观设计来看，三星990 EVO Plus的包装延续了品牌最新的“海洋系”设计风格，以渐变蓝色为主色调，视觉上给人以简洁、时尚的感受，更符合现代消费者的审美需求。包装正面不仅印有产品的彩色示意图，还突出了7250MB/s的传输速度、PCIe 5.0优秀的兼容性以及2TB的存储容量等关键规格，方便用户一目了然地了解产品信息。包装背面则印有多国语言的保修信息，并附有常见的国际认证标识，体现了产品的全球化定位。

打开包装，内部延续了三星一贯的简洁风格，仅包含必要的物品：装在保护塑料壳中的M.2 NVMe，以及安装说明书和5年有限保修信息。

三星990 EVO Plus在外观设计上保持了品牌M.2固态硬盘的经典风格。硬盘主体采用黑色PCB底板，左侧印有产品名称和三星标识，右侧展示了产品信息、序列号和条形码等细节。整体设计简洁大方，富有科技感，充分体现了三星作为存储行业领导者的专业素养。

该硬盘采用单面PCB设计，背面没有任何电子元件。这种设计不仅简化了内部结构，减轻了产品重量，并且有助于提升散热效率也非常适合轻薄型笔记本等安装空间有限的设备。此外，硬盘背部配备了预装的底部金属散热贴片（位于标签贴纸下方），旨在辅助散热，有效提升产品在高负载下的稳定性和性能。

在核心配置方面，三星990 EVO Plus搭载了自研的主控芯片，相较于前代产品，性能和能效比都有了大幅提升。

存储颗粒方面，采用了三星第八代V-NAND技术，这种全新的高密度、高性能的存储芯片，在速度和耐用性之间取得了良好的平衡，使得硬盘在连续高强度的读写操作中依然能保持出色的性能。

三星 990 EVO Plus基准性能测试

为了全面评测产品性能表现，我们搭建了一套高规格的测试平台。处理器采用最新旗舰i9-14900K，主板选用ROG MAXIMUS Z790 HERO（已更新至最新BIOS版本），搭配芝奇DDR5-7200 C36 24GB*2高频内存，为NVIDIA GeForce RTX 4080 FE，操作系统采用最新版本的Windows 11。测试硬盘安装在主板自带的PCIe 5.0 x4 M.2插槽上，由处理器直接提供PCIe 5.0 x4通道带宽，并配备专用散热风扇进行主动散热，确保测试过程中带宽充足，温度可控。

SAMSUNG Magician 三星魔术师 8.2

首先使用三星官方的“SAMSUNG Magician”软件对硬盘进行了检测和性能测试。

该软件兼容大多数和移动硬盘产品，提供了性能测试、固件更新、健康监测等多项功能。

固件管理（测试固件为：1B2QKXG7）

产品信息

通过软件主界面，用户可以实时监控硬盘的温度、剩余容量和使用情况，还可以查看详细的产品信息，包括序列号、固件版本和规格等。

此外，软件还提供了硬盘数据完整性扫描工具，帮助用户检测和维护硬盘的健康状态。

健康度扫描

在性能测试中，三星990 EVO Plus的表现令人惊艳。根据"SAMSUNG Magician 8.2"软件的基准测试结果，顺序读取速度达到7230MB/s，顺序写入速度达到6296MB/s；4K随机读取IOPS为1,020,263，随机写入IOPS为1,285,156。这样出色的随机性能表现远超市面上大多数同类无缓存产品，尤其在处理大型游戏加载、4K视频素材剪辑渲染等高强度工作负载时，其超高的随机读写速度可以显著提升系统响应速度和工作效率。

相比上一代990 EVO的顺序读取5059MB/s、顺序写入4020MB/s的成绩，读取速度提升了约43%，写入速度提升了约57%，综合性能提升约50%。这意味着，即使在未采用DRAM缓存的情况下，三星990 EVO Plus的性能也已接近顶级PCIe 4.0固态硬盘的水平，足以满足3A游戏、4K/8K视频剪辑、AI计算等高性能需求。

CrystalDiskMark

在经典的CrystalDiskMark测试中，我们对三星990 EVO Plus进行了不同数据包大小的读写测试。在1GiB的数据包测试中，顺序读取速度为7281.40MB/s，顺序写入速度为6309.99MB/s；当测试数据包增加至16GiB时，顺序读取速度略有提升，达到7313.89MB/s，顺序写入速度为5824.38MB/s。尽管大文件传输时写入速度有所下降，但整体性能仍处于行业领先水平，能够轻松应对各类大型文件的读写需求。

3DMark存储

在3DMark存储测试中，三星990 EVO Plus取得了4574分的总成绩，平均带宽为788.45MB/s，访问时间为39微秒。这一成绩在同价位产品中表现出色，证明了该硬盘在实际使用场景下的优秀性能，特别是在游戏加载和文件传输等高强度任务中，能够提供快速稳定的响应。

PCMark 10 存储基准测试

在PCMark 10的存储基准测试中，我们进行了数据盘测试。结果显示，在数据盘基准测试中，三星990 EVO Plus得分8968，带宽为1303.98 MB/s，平均访问时间为17微秒。该成绩处于此价位固态硬盘中的一个上游水准，满足日常高负载、高传输速度的需求。

在完整系统盘基准测试中，得分4491，带宽为712 MB/s，平均访问时间为37微秒。

在缓存策略方面，990 EVO Plus没有配备独立的DRAM缓存，而是采用了Host Memory Buffer（HMB）技术。HMB利用系统主内存的一部分来处理SSD的数据映射表，让990 EVO Plus在处理高IOPS任务时仍能保持较快的随机访问速度。这对于游戏加载或文档编辑等需要频繁小文件读写的场景尤为有利。

SLC缓存容量

接下来，我们对三星990 EVO Plus的SLC缓存容量进行了测试。利用TxBench在RAW状态下进行全盘写入测试，并使用HWINFO64软件进行温度监控，结果发现其SLC缓存容量为218GB。在SLC缓存范围内，平均写入速度可达约6800MB/s；当SLC缓存耗尽后，写入速度稳定在平均1488MB/s左右，颗粒直写速度为1662MB/s。这种表现对于一款无DRAM缓存的固态硬盘来说，已经相当出色，能够满足大文件连续写入的需求。

硬盘运行温度测试

根据官方数据显示，三星990 EVO Plus在能效比与散热控制方面带来了显著突破。相较于990 EVO，Plus版本在保持高性能输出的同时，整体功耗降低16%，能效比提升高达73%。这一成就主要得益于新一代236层V8 TLC NAND闪存与三星自主研发的新款控制器的完美结合，在不牺牲性能的前提下，实现了更优的能耗表现。

根据实验室实测数据显示，三星990 EVO Plus在24℃室温环境下表现出良好的温控能力。在SLC缓存满负荷写入测试中，搭配主板原装散热片的990 EVO Plus散热表现稳定，实测最高工作温度为47.4℃，温度探头监测点保持在42.8℃。这样的温度控制水平既能保证性能输出的稳定性，也有助于延长SSD的使用寿命。

在移除散热马甲后，测得硬盘本体温度峰值为65℃，主要分布在主控芯片与M.2接口区域。合理的温控性能既保证了产品在轻薄本等空间受限设备中的适配性，也有效避免了因温度升高带来的性能下降问题。

总结

作为三星EVO系列的最新力作，990 EVO Plus在多个维度实现了显著提升。其顺序读取速度最高可达7250MB/s，较标准版990 EVO提升超过40%，这一性能水准已然追平当前市面上的旗舰级PCIe 4.0固态硬盘。更令人瞩目的是其卓越的随机读写表现，4K随机读取突破100万IOPS大关，随机写入更是达到128万IOPS，这样的随机性能在无缓存方案中独树一帜，让它在处理大型游戏加载、专业创意软件等高强度应用场景时具备显著优势。在保持如此强劲性能输出的同时，其出色的温控表现和优化的功耗管理，让这款产品在轻薄本等散热受限场景中依然能够保持稳定发挥，充分展现了其作为全能型固态硬盘的实力。

从产品定位来看，三星990 EVO Plus完美诠释了"全能型选手"的特质：它既能胜任系统盘的日常应用，又可作为创意工作者的生产力工具，同时在游戏加载和影音素材存储等场景中同样表现出色。这种多面性不仅体现了三星在存储技术上的深厚积累，更展现了其对用户多样化需求的准确把握。