— 三星第九代QLC闪存正式量产 数据保存性能提升20%读取功耗降低50% —

【太平洋科技快讯】近日，三星电子宣布，其1太比特四层单元(QLC)第九代V-NAND产品已正式投入量产，据了解，这款产品采用了低功耗设计技术，有效降低了驱动NAND存储单元所需的电压，这一技术使得数据读取功耗降低了约30%至50%，显著提升了产品的能效表现。这款新型V-NAND将被广泛应用于品牌消费类产品，以及移动通用闪存(UFS)、个人电脑和等领域，旨在为包括云服务提供商在内的广大客户提供更全面的服务。

采用预设模具技术，三星成功调整了存储单元的字线间距，保障了存储单元在同一层和不同层之间的特性一致性，这一改进使得数据保存性能提升了约20%，大大增强了产品的可靠性。

三星电子利用双堆栈架构，通过通道孔蚀刻技术，在存储单元层数上达到了行业最高水平。此技术的应用使得第九代QLC V-NAND的位密度相比前一代提高了约86%，显著优化了存储单元的面积和外围电路。

并且三星的预测程序技术能够有效预测并控制存储单元的状态变化，大幅减少了不必要的操作，得益于此，第九代QLC V-NAND的写入性能实现了翻倍，I/O速度也提升了60%。

此外，第九代V-NAND搭载了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，数据传输速度提升了33%，最高可达每秒3.2千兆位。三星还计划扩大对PCIe 5.0的支持，以巩固其在高性能市场的领导地位。与前一代产品相比，第九代V-NAND的总体功耗降低了10%，展现了三星在技术创新和能效优化方面的不懈追求。